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PID效应的解析及专业解的决方案

发布时间:2016-10-31浏览量:166

  随着新能源的不断发展,晶硅组件的应用也越来越广泛,但是组件长期在高电压作用下,会出现PID的风险:玻璃、封装材料之间存在漏电流,大量的电荷聚集在 电池片表面,使得电池板表面的钝化效果恶化,导致FF, Isc, Voc降低,使组件性能低于设计标准,无论组件采用何种技术的P型晶硅电池片,组件在负偏压下都有PID的风险。

PID效应的解析及专业解的决方案

  PID效应是组件严重退化的主要原因,由此引起的组件功率衰减有时甚至超过50%,然而从组件的外观上却看不到任何缺陷。

  PID的形成原因分为两部分:

  外部可能原因:

  容易在潮湿的环境下发生,并且活跃程度与潮湿程度相关,同时组件表面被导电性、酸性、碱性以及带有离子的物体的污染程度,也与上述衰减现象的发生有关。到目前为止,形成机理还不是太明确,推测来自于钠钙玻璃的金属离子是形成上述具有PID效应的漏电流的主要载流介质。

  内部可能原因:

  1:系统方面:逆变器接地方式和组件在阵列中的位置,决定了电池片和组件受到正偏压或者负偏压。如果整列中间一块组件和逆变器负极输出端之间的所有组件处于负偏压下,则越靠近输出端组件的PID现象越明显。

  2:组件方面:环境条件,如湿度等的影响导致了漏电流的产生。

  3:电池方面:电池片由于参杂不均匀导致方块电阻不均匀;优化电池效率而采用的增加方块电阻会使电池片更容易衰减,导致容易发生PID效应。

  解决方案:

  将已经发生的PID衰减的组件在强制高温下给它正偏置电压72小时后,PID衰减基本消失。

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